廣東愛晟電子科技有限公司生產(chǎn)的IGBT用NTC芯片，因其高精度、高靈敏、高可靠的“三高”特點，以及其電阻值隨溫度變化而變化的特性，在IGBT模塊中起到溫度監(jiān)測和溫度控制的作用。IGBT模塊兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點，GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT模塊綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。因此，IGBT模塊非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)，如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等。

在IGBT模塊工作過程中，保證其運作正常的關(guān)鍵的參數(shù)之一是IGBT芯片的溫度，常用的溫度測量辦法是以NTC芯片作為感溫?zé)崦粜酒惭b在IGBT芯片上。一般情況下，NTC芯片會被安裝在靠近硅片的地方，以實現(xiàn)緊密的熱耦合。根據(jù)IGBT模塊的種類不同，NTC芯片亦可以被安裝在與硅相同的DCB上，也可以安裝在單獨的基片上。

利用NTC芯片可以從以下兩種方式進行IGBT模塊的內(nèi)部溫度監(jiān)測：

一、采用模擬電路方式測量IGBT模塊的內(nèi)部溫度

該方法是基于以一個帶有NTC芯片的分壓器作為熱敏裝置，而分壓器的大小則影響熱敏芯片的溫度監(jiān)測及數(shù)據(jù)的獲取。如果尺寸太小，NTC芯片內(nèi)部流動的電流將產(chǎn)生損耗，進而加熱設(shè)備，導(dǎo)致測量結(jié)果不準(zhǔn)確。另一方面，如果尺寸太大，測量的電壓會變小，亦會導(dǎo)致監(jiān)測失去準(zhǔn)確性。為了減少電流的影響，可利用熱視圖進行檢測，以免導(dǎo)致IGBT模塊失效。

二、采用數(shù)字技術(shù)方式測量IGBT模塊的內(nèi)部溫度

采用NTC芯片的電阻值隨溫度的升高而減少，反之增大的特點，改變RC組合件的時間常數(shù)。如下圖所示：

電阻R₁₁和R₁₂定義了比較器的閾值，改變其輸出。信號U_out也被用于觸發(fā)晶體管Q₁使電容放電。當(dāng)電容的充電由NTC芯片的電阻值R（?）定義，U_out就成為了一個帶有頻率f_out=g（?）的脈沖模式。

要根據(jù)U_out重建實際溫度，只要計算一個確定周期內(nèi)的脈沖就足夠了。脈沖的數(shù)量可以確定溫度；講埋重映射到溫度可以使用解析描述，并在兩個最接近的值之間進行插值。