廣東愛晟電子科技有限公司研發(fā)、生產(chǎn)的單層芯片電容具有良好的形狀系數(shù)，適用于印刷電路板、空間有限的芯片載體、封裝組件內的集成電路等，其尺寸可以與容納集成電路的芯片載體或印刷電路板內的限制匹配。

常規(guī)工藝過程中，一般通過金屬化燒結的陶瓷材料來制造單層芯片電容，并按照參數(shù)要求劃切。按照現(xiàn)有技術生產(chǎn)的單層芯片電容，其形狀系數(shù)盡管是達標的，但是可達到的電容量限制了其應用范圍，特別是應用場景要求特別小或特別薄的單層芯片電容時。在這種情況下，就要求芯片電容必須具備高結構強度和高電容值。愛晟電子為大家介紹一款高電容值、高結構強度、高性價比的單層芯片電容，其包括陶瓷介電材料以及上下表面金屬電極層。高電容值單層芯片電容具有至少一個內部電極，其延伸穿過陶瓷介電材料的寬度的一部分并與導電金屬化層電接觸；導電金屬化層位于陶瓷介電材料的一個側面和頂面或底面中的至少一部分上，以及位于頂面或底面上的又一電隔離的金屬化焊盤，其與電極電接觸。其中，高電容值單層芯片電容的頂面或底面上存在彼此電隔離的多個金屬化焊盤；金屬化焊盤具有不同尺寸。

高電容值單層芯片電容的制備方法，具體工藝步驟如下：

在坯體狀態(tài)的陶瓷介電材料基片的層之間放置一個或多個電極；

沿著坯體的陶瓷介電基片的邊緣切割或鉆出孔并填充；

在坯體狀態(tài)的陶瓷介電基片上印刷頂部金屬電極層和底部金屬電極層；

將坯體狀態(tài)的陶瓷介電基片切割成獨立高電容值單層芯片電容；

燒結高電容值單層芯片電容。





參考數(shù)據(jù)：

CN102842422A《高電容單層電容器》